不銹鋼真空腔體功能劃分集中，主要為生長區(qū)，傳樣測量區(qū)，抽氣區(qū)三個部分。對于分子束外延生長腔，重要的參數(shù)是其中心點A的位置，即樣品在生長過程中所處的位置。所以蒸發(fā)源，高能電子衍射（RHEED）槍，高能電子衍射屏，晶體振蕩器，生長擋板，CCD，生長觀察視窗的法蘭口均對準中心點。

　　蒸發(fā)源：由鎢絲加熱盛放生長物質的堆塌，通過熱偶絲測量溫度，堆鍋中的物質被加熱蒸發(fā)出來，在處于不銹鋼真空腔體中心點的襯底上外延形成薄膜。每個蒸發(fā)源都有其各自的蒸發(fā)源擋板控制源的開閉，可以長出多成分或成分連續(xù)變化的薄膜樣品。

　　高能電子衍射敏RHEED）高能電子衍射是常用的判斷襯底及薄膜樣品單晶程度的方法。高能電子衍射槍發(fā)出電子沿著需要觀察的薄膜晶向掠入射在高能電子衍射屏涂有熒光粉）上形成電子衍射條紋。高能電子衍射槍和屏夾角約180度，連線經(jīng)過中心點。因為薄膜為二維結構，所以其單晶晶格在倒易空間中表現(xiàn)為一系列的倒易棒，高能電子在倒易空間中表現(xiàn)為一個半徑很大的球面。兩者相切，即得到一系列平行的衍射條紋，間距由薄膜的晶格常數(shù)決定。這樣的高能電子衍射條紋，就可以證明樣品的單晶程度是否良好。

　　晶體振蕩器：晶體振蕩器是分子束外延生長的定標設備。定標時，待蒸發(fā)源蒸發(fā)速度穩(wěn)定后，將石英振蕩器置于中心點。通過讀出石英振蕩器振蕩頻率的變化，可以知道蒸發(fā)源在單位時間內在襯底上長出薄膜的厚度。有的不銹鋼真空腔體將晶振放在樣品架放置樣品位置的反面（如小腔），在新腔體的設計中獨立設計了水冷晶振的法蘭口，用一個直線運動裝置（Linear Motion）控制晶振的伸縮。

　　生長擋板：生長擋板通過在蒸發(fā)源和樣品之間的靜態(tài)或動態(tài)遮擋，可以在同一塊襯底上生長出特殊幾何圖形或者多種不同厚度的薄膜樣品。